位移传感器gts,位移传感器GT-71A说明书

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于位移传感器gts的问题，于是小编就整理了2个相关介绍位移传感器gts的解答，让我们一起看看吧。

1. MIDAS在做时程分析时如何输入地震波？
2. 上海微电子光刻机在全球属于什么水平？

MIDAS在做时程分析时如何输入地震波？

地震波的输入在主菜单的荷载时程分析数据时程荷载函数中定义。 点击添加时程函数后，可选择30 多个地震波，也可以自己定义时程函数。 MIDAS/Gen 中可以输出中国规范要求的几乎所有参数，包括层间位移。(另外可按中国规范设计混凝土结构、钢结构、钢骨混凝土结构)

上海微电子光刻机在全球属于什么水平？

在中国有一家外国网红企业，那就是ASML，那为什么ASML这么著名呢？因为他们是全球最大的光刻机提供商，而且在高端光刻机市场上几乎垄断了所有的市场份额。

也正因为如此，很多人都简单理解为如果没有ASML提供光刻机，我国的芯片就没法玩下去了，其实并不是这样，目前ASML的强项主要在于中高端光刻机。

对于一些中低端光刻机，其实全球有不少企业都能够生产，比如日本的尼康、佳能都能够生产，其实我国也有不少企业能够生产光刻机，比如上海的微电子、合肥芯硕半导体，无锡影速半导体，先腾光电等等。

在这几家国产光刻机企业当中，生产工艺最先进的是上海的微电子，目前上海微电子已经量产的光刻机达到90纳米。

不过这个90纳米光刻机跟国际最顶尖的EUV光刻机相比差距很大，两者代差至少达到15年以上。

而合肥芯硕，无锡影速，先腾光电的工艺更低，大多都是大于193纳米，只能用于一些低端的芯片生产。

不过最近几年上海微电子的光刻机也慢慢取得了一个突破，已经成功研发出了28纳米的光刻机，虽然目前这个光刻机还在调试当中，但预计在最近一两年之内应该会正式投入量产，而且这个28纳米的光刻机经过多次曝光之后也可以用于生产14纳米的芯片。

28纳米节点侵润式DUV在验收过程中，本来应该去年年底完成验收的，希望今年能行。突破了28纳米节点，14纳米节点只是系统的改进，难道不像90纳米走向28纳米。EUV光源听说华为入局了。说明两点：一、EUV光源还不行；二、DUV的光源华为认为差不多了。祝愿上微早日交付28/14纳米节点DUV，芯片制程卡脖子破功一大半。

ASML、佳能、尼康、上海微电子，这四家光刻机企业占据了全球95%以上的份额，但这4家光刻机企业的水平差距也是非常大。ASML是唯一一个进入超高端光刻机领域的企业，它能够生产所有产品线所需要的光刻机。

ASML的光刻机能够达到3nm的精度，尼康的光刻机主要在28nm以上，表现最好的水平也只有14nm，而佳能、上海微电的光刻机主要在90nm以上打打酱油。10nm以下，ASML稳占100%的市场份额，而尼康、佳能已无力追赶，更别提上海微电子了。

上海微电子拥有IC前道制造、IC后道封装、LED制造等等多系列光刻机，网友们经常提到的就是IC前道制造光刻机。用于封测的后道光刻机和用于LED制造的投影光刻机难度较小，上海微电子在这两类的市场占有率均是第一。就拿封测光刻机来说，上海微电子占了80%国内市场份额，在全球市场也占到了近40%的市场份额。

上海微电子IC前道制造光刻机能实现90nm芯片量产，目前在攻克28nm光刻机。也别小看了90nm的工艺制程，WiFi芯片、LCD驱动芯片、电源管理芯片、射频芯片、各种数模混合电路等等都是90nm光刻机制造。

实际上光刻机90nm到28nm技术攻克对于上海微电子来说是举步维艰的，比如光源一次曝光可以得到45nm的芯片，三次曝光最多能达到22nm左右水平。实践证明曝光反复叠加并不可行，ASML的光刻机也只能进行2次曝光，再曝光就会导致良率大幅度下降。

***如上海微电子在ASML当初的环境下，可能已经可以做到和ASML比肩了。因为ASML的光刻机有90%以上物件出自其他供应商，比如美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等等。ASML仅仅把握着高度光刻机的核心技术曝光。

到此，以上就是小编对于位移传感器gts的问题就介绍到这了，希望介绍关于位移传感器gts的2点解答对大家有用。

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